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MMBTA06中文资料

MMBTA06图片

MMBTA06外观图

  • 大小：52.96KB
  • 厂家：
  • 描述：0.079 (2.0) 0.037 (0.95) 0.035 (0.9) 0.031 (0.8) 0.037 (0.95) Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.0 V Collector Current IC 500 mA Power Dissipation at TSB = 50 ?C Ptot 255 1) mW 300 2) Thermal Resistance Junction to Ambiant Air Rq JA 560 1) °C/W Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Range TS -65 to +150 °C Note: (1) Device on fiberglass substrate, see layout on third page. (2) Device on alumina substrate. MMBTA06 Small Signal Transistors (NPN) 12/13/99 Dimensions in inches and (millimeters) .016 (0.4) .056 (1.43) .037(0.95) .037(0.95) max. .004 (0.1) .122 (3.1) .016 (0.4) .016 (0.4) 1 2 3 Top View .102 (2.6) .007 (0.175) .045 (1.15) .110 (2.8) .052 (1.33) .005 (0.125) .094 (2.4) .037 (0.95) Features ? NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. ? As complementary typ
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 100mA，1V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBTA06FSTR

MMBTA06供应商

更新时间:2023-01-07 08:40:20
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • 深圳市君云达电子科技有限公司

  • MMBTA06G-AE3-R

    MMBTA06G-AE3-R
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号：

    1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。

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  • UTC

  • SOT23/14+

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MAX708CSAMX29LV320DBTI-70GMAX1718EEI-TM5216FPMMBTA94ME4894-GM51951AMLMMBT9013LT1GMBRS240LT3GMAX4583CSE

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